全球記憶體短缺可能會持續到2027年
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根據市場研究機構Counterpoint Research在2025年第四季的全球記憶體市場調查,全球前三大動態記憶體(DRAM)供應商依序是三星(36%)、SK hynix(32%)及美光(Micron)(23%),它們占據了全球9成的記憶體市場。
隨著AI對高頻寬記憶體(High Bandwidth Memory,HBM)的需求大幅增加,三大廠優先將產能轉向HBM,壓縮原本用於PC與智慧型手機的通用型記憶體供給,導致市場供不應求並推升價格,2026年第一季記憶體價格季增約90%。
報導指出,三星於韓國興建的第四座晶圓廠預計2026年上線,但要到2027年後才會全面量產,第五座HBM廠則最快2028年投產;美光在美國與日本的新廠也將分別於2027年與2028年量產。相較之下,SK hynix於2026年2月啟用的HBM工廠,是三大廠中唯一可在2026年實質增加產能的來源。
此外,由於擴產速度仍落後於需求成長,報導指出,在2027年前,DRAM供給可能長期僅能滿足約六成市場需求。
Global DRAM and HBM Market Share: Quarterly
Source: Counterpoint Research Memory Market Tracker and Forecast Report, Q4 2025
counterpointresearch.com
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