三星、SK海力士、美光啟動DDR6記憶體研發，預計2028至2029上市

圖片來源：<a href=”https://news.samsung.com/tw/%E4%B8%89%E6%98%9F%E9%A0%98%E5%85%88%E6%A5%AD%E7%95%8C%E9%96%8B%E7%99%BC%E9%A6%96%E6%AC%BE12%E5%A5%88%E7%B1%B3%E7%B4%9A%E8%A3%BD%E7%A8%8Bddr5-dram” rel=”nofollow noopener”>三星</a><p>根據韓國媒體 The Elec 報導，Samsung 三星、SK hynix SK 海力士、Micron 美光等三大記憶體晶片製造商巨頭正開始著手 DDR6 記憶體研發，雖然負責制定標準的 JEDEC 尚未公布 DDR6 最終規範，但這些記憶體製造商已要求基板供應商準備設計方案。</p>

從 JEDEC 稍早釋出的 DDR6 草案可以看到，新標準預計提供相當於現行 DDR5 記憶體的 2 倍頻寬，來到驚人的 17.6 Gbps，因此確保訊號完整性和電源效率已成為重大挑戰，基板的設計難度也隨之水漲船高。供應商正針對記憶體厚度、堆疊結構和佈線等特性設計研發基板。

一為基板業內人士表示，記憶體製造商與基板供應商通常在產品預定上市的兩年多前就開始合作研發，而 DDR6 記憶體的初步研發工作最近才啟動。這意味著 DDR6 記憶體進入商用量產，可能得等到 2028 至 2029 年。